PHP73N06T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP73N06T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 421 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP73N06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP73N06T даташит

 ..1. Size:260K  philips
 phb73n06t php73n06t.pdf pdf_icon

PHP73N06T

PHP73N06T; PHB73N06T TrenchMOS standard level FET Rev. 02 5 July 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP73N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB73N06T in SOT404 (D2-PAK). 2. Features Fast switching Very low on-state resistance. 3. Applications General purp

Другие IGBT... PHP34NQ11T, PHP36N03LT, PHP45N03LT, PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, IRF1407, PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T