PJD1NA50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJD1NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PJD1NA50
PJD1NA50 Datasheet (PDF)
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
Другие MOSFET... PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , P0903BDG , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 .
History: CS3N65P | PA210BC | HMS4030 | NTP30N06 | OSG60R020HT3F | UPA2463T1Q | IPD50P04P4-13
History: CS3N65P | PA210BC | HMS4030 | NTP30N06 | OSG60R020HT3F | UPA2463T1Q | IPD50P04P4-13



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004