PJD1NA60 - аналоги и даташиты транзистора

 

PJD1NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJD1NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PJD1NA60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD1NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  panjit
 pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PJD1NA60

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 0.1. Size:412K  panjit
 pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf pdf_icon

PJD1NA60

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.1. Size:364K  panjit
 pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf pdf_icon

PJD1NA60

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.2. Size:424K  panjit
 pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PJD1NA60

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , EMB04N03H , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 .

 

 
Back to Top

 


 
.