PJD4NA70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJD4NA70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для PJD4NA70
PJD4NA70 Datasheet (PDF)
pjd4na70 pjf4na70 pjp4na70 pju4na70.pdf

PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf

PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf

PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na90 pjf4na90 pjp4na90 pju4na90.pdf

PPJU4NA90 / PJD4NA90 / PJP4NA90 / PJF4NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
Другие MOSFET... PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , IRFB7545 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , PJD8NA50 .
History: 2SK3481-Z | APT50M75B2LL | BRCS200P03ZC | APT50M75JLL | PMZ390UNE | VBZE20N20 | BUK7Y12-40E
History: 2SK3481-Z | APT50M75B2LL | BRCS200P03ZC | APT50M75JLL | PMZ390UNE | VBZE20N20 | BUK7Y12-40E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent