Справочник MOSFET. PJD4NA70

 

PJD4NA70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJD4NA70
   Маркировка: D4NA70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для PJD4NA70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD4NA70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  panjit
 pjd4na70 pjf4na70 pjp4na70 pju4na70.pdf pdf_icon

PJD4NA70

PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

 8.1. Size:428K  panjit
 pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf pdf_icon

PJD4NA70

PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

 8.2. Size:442K  panjit
 pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf pdf_icon

PJD4NA70

PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

 8.3. Size:348K  panjit
 pjd4na90 pjf4na90 pjp4na90 pju4na90.pdf pdf_icon

PJD4NA70

PPJU4NA90 / PJD4NA90 / PJP4NA90 / PJF4NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.