PJD6NA70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJD6NA70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для PJD6NA70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD6NA70 даташит

 ..1. Size:432K  panjit
 pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf pdf_icon

PJD6NA70

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

 8.1. Size:458K  panjit
 pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf pdf_icon

PJD6NA70

PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

Другие IGBT... PJD3NA80, PJD4NA60, PJD4NA65, PJD4NA70, PJD4NA90, PJD5NA50, PJD5NA80, PJD6NA40, IRF3205, PJD7NA60, PJD7NA65, PJD8NA50, PJF10NA60, PJF10NA65, PJF10NA80, PJF12NA60, PJF13NA50