PJD6NA70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJD6NA70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: TO-252AA
Аналог (замена) для PJD6NA70
PJD6NA70 Datasheet (PDF)
pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf

PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
Другие MOSFET... PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , IRF3205 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor