Справочник MOSFET. PJD7NA65

 

PJD7NA65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJD7NA65
   Маркировка: D7NA65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для PJD7NA65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD7NA65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  panjit
 pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf pdf_icon

PJD7NA65

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

 7.1. Size:416K  panjit
 pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf pdf_icon

PJD7NA65

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

Другие MOSFET... PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , IRF840 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 .

History: AP0904GMT-HF | FDG6318PZ

 

 
Back to Top

 


 
.