PJF10NA80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJF10NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
Тип корпуса: ITO-220AB-F
Аналог (замена) для PJF10NA80
PJF10NA80 Datasheet (PDF)
pjf10na80 pjp10na80.pdf

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A
pjf10na65 pjp10na65.pdf

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A
pjf10na60 pjp10na60.pdf

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A
Другие MOSFET... PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , 50N06 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 , PJF3NA80 , PJF4NA60 , PJF4NA65 , PJF4NA70 .
History: STP36NF06 | AP6N3R5LI | 5N65KG-TMS-T | UF4N20 | APT5010JVRU2 | IPB04CN10NG | STS9NF30L
History: STP36NF06 | AP6N3R5LI | 5N65KG-TMS-T | UF4N20 | APT5010JVRU2 | IPB04CN10NG | STS9NF30L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor