Справочник MOSFET. PJF10NA80

 

PJF10NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJF10NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: ITO-220AB-F
 

 Аналог (замена) для PJF10NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJF10NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  panjit
 pjf10na80 pjp10na80.pdf pdf_icon

PJF10NA80

PPJP10NA80 / PJF10NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 5A

 7.1. Size:335K  panjit
 pjf10na65 pjp10na65.pdf pdf_icon

PJF10NA80

PPJP10NA65 / PJF10NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

 7.2. Size:340K  panjit
 pjf10na60 pjp10na60.pdf pdf_icon

PJF10NA80

PPJP10NA60 / PJF10NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 10 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@5A

Другие MOSFET... PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , 50N06 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 , PJF3NA80 , PJF4NA60 , PJF4NA65 , PJF4NA70 .

 

 
Back to Top

 


 
.