PJF12NA60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJF12NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: ITO-220AB-F

Аналог (замена) для PJF12NA60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJF12NA60 даташит

 ..1. Size:335K  panjit
 pjf12na60 pjp12na60.pdf pdf_icon

PJF12NA60

PPJP12NA60 / PJF12NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 12 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@6A

Другие IGBT... PJD6NA40, PJD6NA70, PJD7NA60, PJD7NA65, PJD8NA50, PJF10NA60, PJF10NA65, PJF10NA80, IRFP460, PJF13NA50, PJF2NA60, PJF2NA70, PJF3NA80, PJF4NA60, PJF4NA65, PJF4NA70, PJF4NA90