PJF13NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJF13NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: ITO-220AB-F

Аналог (замена) для PJF13NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJF13NA50 даташит

 ..1. Size:313K  panjit
 pjf13na50 pjp13na50.pdf pdf_icon

PJF13NA50

PPJP13NA50 / PJF13NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 13 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@6.5A

Другие IGBT... PJD6NA70, PJD7NA60, PJD7NA65, PJD8NA50, PJF10NA60, PJF10NA65, PJF10NA80, PJF12NA60, IRFZ44, PJF2NA60, PJF2NA70, PJF3NA80, PJF4NA60, PJF4NA65, PJF4NA70, PJF4NA90, PJF5NA50