PJF2NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: PJF2NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: ITO-220AB-F
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам