PJF2NA70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJF2NA70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
Тип корпуса: ITO-220AB-F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PJF2NA70 Datasheet (PDF)
pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: STW14NM50FD | AP3987R | STP260N6F6 | RJK0856DPB | SIF5N60C | NTD100N02 | MS9N20E
History: STW14NM50FD | AP3987R | STP260N6F6 | RJK0856DPB | SIF5N60C | NTD100N02 | MS9N20E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899