PJF2NA70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJF2NA70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
Тип корпуса: ITO-220AB-F
Аналог (замена) для PJF2NA70
PJF2NA70 Datasheet (PDF)
pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf
PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf
PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A
Другие MOSFET... PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , IRF1404 , PJF3NA80 , PJF4NA60 , PJF4NA65 , PJF4NA70 , PJF4NA90 , PJF5NA50 , PJF5NA80 , PJF6NA40 .
History: SHD230209 | SWP046R08E9T | TSM3900DCX6 | SWP035R10E6S | TSM35N03PQ56 | UT20N03L-TN3-R | CS4N65U
History: SHD230209 | SWP046R08E9T | TSM3900DCX6 | SWP035R10E6S | TSM35N03PQ56 | UT20N03L-TN3-R | CS4N65U
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899