PJF4NA65 datasheet, аналоги, параметры транзистора

PJF4NA65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJF4NA65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: ITO-220AB-F

Аналог (замена) для PJF4NA65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:442K panjit
pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf pdf_icon

PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

0.1. Size:317K 1
pjf4na65a.pdf pdf_icon

PPJF4NA65A 650V N-Channel MOSFET Voltage 650 V Current 4 A Features R , V DS(ON) GS@10V,I D@2A

7.1. Size:428K panjit
pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf pdf_icon

PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

8.1. Size:435K panjit
pjd4na70 pjf4na70 pjp4na70 pju4na70.pdf pdf_icon

PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A