PJF5NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJF5NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: ITO-220AB-F

Аналог (замена) для PJF5NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJF5NA50 даташит

 ..1. Size:395K  panjit
 pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf pdf_icon

PJF5NA50

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf pdf_icon

PJF5NA50

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

Другие IGBT... PJF13NA50, PJF2NA60, PJF2NA70, PJF3NA80, PJF4NA60, PJF4NA65, PJF4NA70, PJF4NA90, IRFB4227, PJF5NA80, PJF6NA40, PJF6NA70, PJF6NA90, PJF7NA60, PJF7NA65, PJF7NA80, PJF8NA50