PJF7NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJF7NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: ITO-220AB-F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PJF7NA60 Datasheet (PDF)
pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjf7na80 pjp7na80.pdf

PPJP7NA80 / PJF7NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 3.5A
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: H50N03J | FDB7030LL86Z | ST3413A | VBZA4420 | AP15P15GH-HF | GSM2912 | VB162KX
History: H50N03J | FDB7030LL86Z | ST3413A | VBZA4420 | AP15P15GH-HF | GSM2912 | VB162KX



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet