PJF7NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJF7NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: ITO-220AB-F
Аналог (замена) для PJF7NA60
PJF7NA60 Datasheet (PDF)
pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjf7na80 pjp7na80.pdf

PPJP7NA80 / PJF7NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 3.5A
Другие MOSFET... PJF4NA65 , PJF4NA70 , PJF4NA90 , PJF5NA50 , PJF5NA80 , PJF6NA40 , PJF6NA70 , PJF6NA90 , IRFP250N , PJF7NA65 , PJF7NA80 , PJF8NA50 , PJF9NA90 , PJN1NA50 , PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 .
History: AP60WN4K9H | AP60WN4K5I | PJF7NA80 | 25N10 | 2N5196 | CS4N80F | 60N08
History: AP60WN4K9H | AP60WN4K5I | PJF7NA80 | 25N10 | 2N5196 | CS4N80F | 60N08



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet