PJF7NA65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJF7NA65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: ITO-220AB-F
Аналог (замена) для PJF7NA65
PJF7NA65 Datasheet (PDF)
pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjf7na80 pjp7na80.pdf

PPJP7NA80 / PJF7NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 3.5A
Другие MOSFET... PJF4NA70 , PJF4NA90 , PJF5NA50 , PJF5NA80 , PJF6NA40 , PJF6NA70 , PJF6NA90 , PJF7NA60 , IRFB4115 , PJF7NA80 , PJF8NA50 , PJF9NA90 , PJN1NA50 , PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , PJP10NA65 .
History: AP3NR85CMT | SI8441DB | DMN2016LFG | BUK653R4-40C | IXTA90N15T
History: AP3NR85CMT | SI8441DB | DMN2016LFG | BUK653R4-40C | IXTA90N15T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614