Справочник MOSFET. PJN1NA50

 

PJN1NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJN1NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для PJN1NA50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJN1NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  panjit
 pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PJN1NA50

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.1. Size:411K  panjit
 pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PJN1NA50

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.2. Size:412K  panjit
 pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf pdf_icon

PJN1NA50

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

Другие MOSFET... PJF6NA40 , PJF6NA70 , PJF6NA90 , PJF7NA60 , PJF7NA65 , PJF7NA80 , PJF8NA50 , PJF9NA90 , 7N65 , PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , PJP10NA65 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 .

History: BSZ058N03MS | AM7434N | IXTA160N10T7

 

 
Back to Top

 


 
.