PJN1NA60 datasheet, аналоги, параметры транзистора

PJN1NA60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJN1NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для PJN1NA60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:411K panjit
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

0.1. Size:412K panjit
pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf pdf_icon

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

8.1. Size:424K panjit
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A