Справочник MOSFET. PJP2NA60

 

PJP2NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJP2NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PJP2NA60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP2NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  panjit
 pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf pdf_icon

PJP2NA60

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf pdf_icon

PJP2NA60

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

Другие MOSFET... PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , PJP10NA65 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , AO3400 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , PJP5NA80 .

 

 
Back to Top

 


 
.