PJP2NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJP2NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для PJP2NA60
PJP2NA60 Datasheet (PDF)
pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A
pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
Другие MOSFET... PJN1NA60 , PJN1NA60A , PJP10NA60 , PJP10NA65 , PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , IRFP260 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , PJP5NA80 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906