PJP2NA60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP2NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP2NA60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP2NA60 даташит

 ..1. Size:436K  panjit
 pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf pdf_icon

PJP2NA60

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf pdf_icon

PJP2NA60

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

Другие IGBT... PJN1NA60, PJN1NA60A, PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, PJP12NA60, PJP13NA50, PJP1NA80, AO3401, PJP2NA70, PJP3NA80, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70, PJP4NA90, PJP5NA50, PJP5NA80