PJP5NA50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP5NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP5NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP5NA50 даташит

 ..1. Size:395K  panjit
 pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf pdf_icon

PJP5NA50

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf pdf_icon

PJP5NA50

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

Другие IGBT... PJP1NA80, PJP2NA60, PJP2NA70, PJP3NA80, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70, PJP4NA90, 13N50, PJP5NA80, PJP6NA40, PJP6NA70, PJP6NA90, PJP7NA60, PJP7NA65, PJP7NA80, PJP8NA50