PJP6NA40 datasheet, аналоги, параметры транзистора

PJP6NA40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP6NA40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP6NA40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:458K panjit
pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf pdf_icon

PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

8.1. Size:346K panjit
pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf pdf_icon

PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

8.2. Size:432K panjit
pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf pdf_icon

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A