PJP6NA70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJP6NA70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
PJP6NA70 Datasheet (PDF)
pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf
PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf
PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf
PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918