PJP6NA70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP6NA70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP6NA70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP6NA70 даташит

 ..1. Size:432K  panjit
 pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf pdf_icon

PJP6NA70

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

 8.1. Size:458K  panjit
 pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf pdf_icon

PJP6NA70

PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

 8.2. Size:346K  panjit
 pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf pdf_icon

PJP6NA70

PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

Другие IGBT... PJP3NA80, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70, PJP4NA90, PJP5NA50, PJP5NA80, PJP6NA40, 5N65, PJP6NA90, PJP7NA60, PJP7NA65, PJP7NA80, PJP8NA50, PJP9NA90, PJU1NA50, PJU1NA60