PJP6NA90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJP6NA90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для PJP6NA90
PJP6NA90 Datasheet (PDF)
pjf6na90 pjp6na90 pjz6na90.pdf

PPJP6NA90 / PJF6NA90 / PJZ6NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf

PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A
Другие MOSFET... PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , PJP5NA80 , PJP6NA40 , PJP6NA70 , TK10A60D , PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , PJP8NA50 , PJP9NA90 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , PJU1NA60A .
History: IRFS4610PBF | GSM2304 | HFP8N60S | GSM2303A | AP65SL099DR | ME3205H-G | HY8N70T
History: IRFS4610PBF | GSM2304 | HFP8N60S | GSM2303A | AP65SL099DR | ME3205H-G | HY8N70T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725