PJP7NA80 datasheet, аналоги, параметры транзистора

PJP7NA80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP7NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP7NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:320K panjit
pjf7na80 pjp7na80.pdf pdf_icon

PPJP7NA80 / PJF7NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 3.5A

8.1. Size:416K panjit
pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf pdf_icon

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

8.2. Size:443K panjit
pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf pdf_icon

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A