Справочник MOSFET. PJP7NA80

 

PJP7NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJP7NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP7NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  panjit
 pjf7na80 pjp7na80.pdf pdf_icon

PJP7NA80

PPJP7NA80 / PJF7NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 3.5A

 8.1. Size:416K  panjit
 pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf pdf_icon

PJP7NA80

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

 8.2. Size:443K  panjit
 pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf pdf_icon

PJP7NA80

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PSMN7R8-120ES | MC11N005 | DMP2004VK | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.