PJU1NA50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJU1NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: TO-251AB
Аналог (замена) для PJU1NA50
PJU1NA50 Datasheet (PDF)
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf
PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf
PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf
PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf
PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
Другие MOSFET... PJP6NA40 , PJP6NA70 , PJP6NA90 , PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , PJP8NA50 , PJP9NA90 , AON7506 , PJU1NA60 , PJU1NA60A , PJU1NA80 , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 , PJU3NA50 , PJU3NA80 .
History: SSM5P16FE | 2N7002KG8 | NCEP030N30GU | 6N65KL-TF2-T | RU30140R | 2SJ583LS | NCEP030N85LL
History: SSM5P16FE | 2N7002KG8 | NCEP030N30GU | 6N65KL-TF2-T | RU30140R | 2SJ583LS | NCEP030N85LL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414





