PJU1NA60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJU1NA60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.9 Ohm
Тип корпуса: TO-251AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PJU1NA60A Datasheet (PDF)
pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
Другие MOSFET... PJP6NA90 , PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , PJP8NA50 , PJP9NA90 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , IRFB3607 , PJU1NA80 , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 , PJU3NA50 , PJU3NA80 , PJU4NA60 , PJU4NA65 .
History: IRF3710S | UPA1770 | IXTH10N60 | TSM4946DCS | RU1HL8L | KRF7703 | IRF3805L
History: IRF3710S | UPA1770 | IXTH10N60 | TSM4946DCS | RU1HL8L | KRF7703 | IRF3805L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet