PJU1NA80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJU1NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
Тип корпуса: TO-251AB
Аналог (замена) для PJU1NA80
PJU1NA80 Datasheet (PDF)
pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A
Другие MOSFET... PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , PJP8NA50 , PJP9NA90 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , PJU1NA60A , IRFZ24N , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 , PJU3NA50 , PJU3NA80 , PJU4NA60 , PJU4NA65 , PJU4NA70 .
History: AONY36356 | NCEP12T13A | AP95T10GW-HF
History: AONY36356 | NCEP12T13A | AP95T10GW-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603