Справочник MOSFET. PJU1NA80

 

PJU1NA80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJU1NA80
   Маркировка: U1NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AB

 Аналог (замена) для PJU1NA80

 

 

PJU1NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  panjit
pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf

PJU1NA80
PJU1NA80

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.1. Size:424K  panjit
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf

PJU1NA80
PJU1NA80

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.2. Size:411K  panjit
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf

PJU1NA80
PJU1NA80

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.3. Size:412K  panjit
pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf

PJU1NA80
PJU1NA80

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top