PJU2NA60H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJU2NA60H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251AB

Аналог (замена) для PJU2NA60H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJU2NA60H даташит

 ..1. Size:264K  panjit
 pjd2na60h pju2na60h.pdf pdf_icon

PJU2NA60H

PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A

 6.1. Size:436K  panjit
 pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf pdf_icon

PJU2NA60H

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A

 8.1. Size:450K  panjit
 pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf pdf_icon

PJU2NA60H

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

Другие IGBT... PJP7NA80, PJP8NA50, PJP9NA90, PJU1NA50, PJU1NA60, PJU1NA60A, PJU1NA80, PJU2NA60, BS170, PJU2NA70, PJU3NA50, PJU3NA80, PJU4NA60, PJU4NA65, PJU4NA70, PJU4NA90, PJU5NA50