PJU5NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJU5NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
Тип корпуса: TO-251AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PJU5NA50 Datasheet (PDF)
pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A
pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STF130N10F3 | SIHG47N60S | IPD40DP06NM | 9N95 | AM70N10-44P | ZXM64P02X | HGI110N08AL
History: STF130N10F3 | SIHG47N60S | IPD40DP06NM | 9N95 | AM70N10-44P | ZXM64P02X | HGI110N08AL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412