Справочник MOSFET. PJU5NA50

 

PJU5NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJU5NA50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJU5NA50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  panjit
pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdfpdf_icon

PJU5NA50

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

 8.1. Size:450K  panjit
pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdfpdf_icon

PJU5NA50

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STF130N10F3 | SIHG47N60S | IPD40DP06NM | 9N95 | AM70N10-44P | ZXM64P02X | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.