PJU7NA65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJU7NA65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для PJU7NA65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJU7NA65 даташит

 ..1. Size:443K  panjit
 pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf pdf_icon

PJU7NA65

PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

 7.1. Size:416K  panjit
 pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf pdf_icon

PJU7NA65

PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A

Другие IGBT... PJU4NA65, PJU4NA70, PJU4NA90, PJU5NA50, PJU5NA80, PJU6NA40, PJU6NA70, PJU7NA60, IRF2807, PJU8NA50, SFF054M, SFF054Z, SFF100N20, SFF10N100, SFF10N100B, SFF10N100M, SFF10N100N