Справочник MOSFET. SFF10N100Z

 

SFF10N100Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFF10N100Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-254Z

 Аналог (замена) для SFF10N100Z

 

 

SFF10N100Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ssdi
sff10n100m sff10n100z.pdf

SFF10N100Z
SFF10N100Z

 5.1. Size:176K  ssdi
sff10n100n sff10n100p.pdf

SFF10N100Z
SFF10N100Z

 5.2. Size:147K  ssdi
sff10n100.pdf

SFF10N100Z
SFF10N100Z

 5.3. Size:170K  ssdi
sff10n100b.pdf

SFF10N100Z
SFF10N100Z

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top