Справочник MOSFET. SFF11N80N

 

SFF11N80N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF11N80N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-258
 

 Аналог (замена) для SFF11N80N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF11N80N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff11n80n sff11n80p.pdf pdf_icon

SFF11N80N

 6.1. Size:144K  ssdi
 sff11n80m sff11n80z.pdf pdf_icon

SFF11N80N

SFF11N80 Series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 11 AMP / 800 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.95 SFF11N80 __ __ __ N-Channel MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

 6.2. Size:151K  ssdi
 sff11n80b.pdf pdf_icon

SFF11N80N

 9.1. Size:31K  ssdi
 sff110s.pdf pdf_icon

SFF11N80N

SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNERS DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features: Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFF10N100P , SFF10N100Z , SFF10N60 , SFF110S , SFF116N10M , SFF116N10Z , SFF11N80B , SFF11N80M , 8N60 , SFF11N80P , SFF11N80Z , SFF120-28Q , SFF12N60 , SFF130 , SFF130-28 , SFF130G , SFF130J .

History: AON7532E | SSM4500GM | STF10NM65N | HSS3400A | SI2301CDS | DH60N06

 

 
Back to Top

 


 
.