SFF11N80N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF11N80N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для SFF11N80N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF11N80N даташит

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff11n80n sff11n80p.pdf pdf_icon

SFF11N80N

 6.1. Size:144K  ssdi
 sff11n80m sff11n80z.pdf pdf_icon

SFF11N80N

 6.2. Size:151K  ssdi
 sff11n80b.pdf pdf_icon

SFF11N80N

 9.1. Size:31K  ssdi
 sff110s.pdf pdf_icon

SFF11N80N

SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNER S DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF10N100P, SFF10N100Z, SFF10N60, SFF110S, SFF116N10M, SFF116N10Z, SFF11N80B, SFF11N80M, IRFB7545, SFF11N80P, SFF11N80Z, SFF120-28Q, SFF12N60, SFF130, SFF130-28, SFF130G, SFF130J