SFF11N80Z - аналоги и даташиты транзистора

 

SFF11N80Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SFF11N80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-254Z
 

 Аналог (замена) для SFF11N80Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF11N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  ssdi
 sff11n80m sff11n80z.pdf pdf_icon

SFF11N80Z

SFF11N80 Series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 11 AMP / 800 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.95 SFF11N80 __ __ __ N-Channel MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

 6.1. Size:164K  ssdi
 sff11n80n sff11n80p.pdf pdf_icon

SFF11N80Z

 6.2. Size:151K  ssdi
 sff11n80b.pdf pdf_icon

SFF11N80Z

 9.1. Size:31K  ssdi
 sff110s.pdf pdf_icon

SFF11N80Z

SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNERS DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features: Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFF10N60 , SFF110S , SFF116N10M , SFF116N10Z , SFF11N80B , SFF11N80M , SFF11N80N , SFF11N80P , IRF9640 , SFF120-28Q , SFF12N60 , SFF130 , SFF130-28 , SFF130G , SFF130J , SFF1310M , SFF1310Z .

History: NCEP023NH30GU

 

 
Back to Top

 


 
.