Справочник MOSFET. SFF130J

 

SFF130J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF130J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF130J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  ssdi
sff130j.pdfpdf_icon

SFF130J

 8.1. Size:172K  ssdi
sff130-28.pdfpdf_icon

SFF130J

 8.2. Size:120K  ssdi
sff130.pdfpdf_icon

SFF130J

SFF130/3 & SFF130/66 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 14 AMP / 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.18 SFF130 __ __ N-Channel Power MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

 8.3. Size:171K  ssdi
sff130g.pdfpdf_icon

SFF130J

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: CJD01N80 | SIHG33N60EF | IRC330 | R6524KNX | 2N7002W-TP | 2SK2836 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.