Справочник MOSFET. SFF150Z

 

SFF150Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFF150Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-254Z

 Аналог (замена) для SFF150Z

 

 

SFF150Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff150m sff150z.pdf

SFF150Z SFF150Z

 8.1. Size:161K  ssdi
 sff150.pdf

SFF150Z SFF150Z

 8.2. Size:150K  ssdi
 sff150c.pdf

SFF150Z SFF150Z

 9.1. Size:29K  ssdi
 sff15n80.pdf

SFF150Z SFF150Z

SFF15N80/3SOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com15 AMPS800 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.60 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Low RDS (on) and High Transconductance Excellent High Temperature StabilityTO-3 Fast Switching Speed Intrinsic Rectifi

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top