SFF15N80 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFF15N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFF15N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 128 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-3

Аналог (замена) для SFF15N80

SFF15N80 Datasheet (PDF)

..1. Size:29K ssdi
sff15n80.pdf

SFF15N80/3SOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com15 AMPS800 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.60 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Low RDS (on) and High Transconductance Excellent High Temperature StabilityTO-3 Fast Switching Speed Intrinsic Rectifi

9.1. Size:161K ssdi
sff150.pdf