SFF20N60B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFF20N60B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: MILPACK2
SFF20N60B Datasheet (PDF)
sff20p10j.pdf
SFF20P10J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 20 AMP /100 Volts TO-257 200 m P-Channel MOSFET Features: Rugged construction with polysilicon gate Low ON-resistance and high transconductance Excellent high tempera
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918