Справочник MOSFET. SFF20N60B

 

SFF20N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF20N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: MILPACK2
 

 Аналог (замена) для SFF20N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF20N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  ssdi
 sff20n60b.pdf pdf_icon

SFF20N60B

 6.1. Size:164K  ssdi
 sff20n60n sff20n60p.pdf pdf_icon

SFF20N60B

 9.1. Size:63K  ssdi
 sff20p10j.pdf pdf_icon

SFF20N60B

SFF20P10J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 20 AMP /100 Volts TO-257 200 m P-Channel MOSFET Features: Rugged construction with polysilicon gate Low ON-resistance and high transconductance Excellent high tempera

Другие MOSFET... SFF140M , SFF140Z , SFF150 , SFF150C , SFF150M , SFF150Z , SFF15N80 , SFF16N60NC , IRF1404 , SFF20N60N , SFF20N60P , SFF20P10J , SFF220-28 , SFF230 , SFF230-28 , SFF230G , SFF230J .

History: IPB80N04S2-04 | CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.