Справочник MOSFET. SFF20N60N

 

SFF20N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF20N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-258
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF20N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff20n60n sff20n60p.pdf pdf_icon

SFF20N60N

 6.1. Size:155K  ssdi
 sff20n60b.pdf pdf_icon

SFF20N60N

 9.1. Size:63K  ssdi
 sff20p10j.pdf pdf_icon

SFF20N60N

SFF20P10J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 20 AMP /100 Volts TO-257 200 m P-Channel MOSFET Features: Rugged construction with polysilicon gate Low ON-resistance and high transconductance Excellent high tempera

Другие MOSFET... SFF140Z , SFF150 , SFF150C , SFF150M , SFF150Z , SFF15N80 , SFF16N60NC , SFF20N60B , IRF640N , SFF20N60P , SFF20P10J , SFF220-28 , SFF230 , SFF230-28 , SFF230G , SFF230J , SFF230M .

History: LSDN65R950HT | BRCS200P03DSC | SSF3637S

 

 
Back to Top

 


 
.