SFF20N60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF20N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для SFF20N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF20N60N даташит

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff20n60n sff20n60p.pdf pdf_icon

SFF20N60N

 6.1. Size:155K  ssdi
 sff20n60b.pdf pdf_icon

SFF20N60N

 9.1. Size:63K  ssdi
 sff20p10j.pdf pdf_icon

SFF20N60N

SFF20P10J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 20 AMP /100 Volts TO-257 200 m P-Channel MOSFET Features Rugged construction with polysilicon gate Low ON-resistance and high transconductance Excellent high tempera

Другие IGBT... SFF140Z, SFF150, SFF150C, SFF150M, SFF150Z, SFF15N80, SFF16N60NC, SFF20N60B, IRLZ44N, SFF20N60P, SFF20P10J, SFF220-28, SFF230, SFF230-28, SFF230G, SFF230J, SFF230M