Справочник MOSFET. SFF23N60S1

 

SFF23N60S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF23N60S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SMD1-2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF23N60S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  ssdi
 sff23n60s1 sff23n60s2.pdf pdf_icon

SFF23N60S1

SFF23N60S1 Solid State Devices, Inc. SFF23N60S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 21 AMP, 600 Volts, 320 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated

 6.1. Size:164K  ssdi
 sff23n60m sff23n60z.pdf pdf_icon

SFF23N60S1

SFF23N60M Solid State Devices, Inc. SFF23N60Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 15 AMP, 600 Volts, 320 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features: Advanced low gate charge process Lowest ON-resistance in the industry Av

 9.1. Size:163K  ssdi
 sff230g.pdf pdf_icon

SFF23N60S1

 9.2. Size:178K  ssdi
 sff230-28.pdf pdf_icon

SFF23N60S1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP9934GM | PHP3N60E | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | HTN020N04P

 

 
Back to Top

 


 
.