SFF40N10-28 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF40N10-28
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: 28-PIN-CLCC
Аналог (замена) для SFF40N10-28
SFF40N10-28 Datasheet (PDF)
sff40n30mub sff40n30z sff40n30m sff40n30mdb sff40n30zdb sff40n30zub.pdf

SFF40N30M Solid State Devices, Inc. SFF40N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 40 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF40N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened
Другие MOSFET... SFF340 , SFF340-28 , SFF340C , SFF340J , SFF340M , SFF340Z , SFF35N20M , SFF35N20Z , STF13NM60N , SFF40N30 , SFF40N30B , SFF40N30M , SFF40N30MDB , SFF40N30MUB , SFF40N30N , SFF40N30P , SFF40N30Z .
History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D
History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet