SFF40N30ZUB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SFF40N30ZUB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-254Z
Аналог (замена) для SFF40N30ZUB
SFF40N30ZUB Datasheet (PDF)
sff40n30mub sff40n30z sff40n30m sff40n30mdb sff40n30zdb sff40n30zub.pdf
SFF40N30M Solid State Devices, Inc. SFF40N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 40 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF40N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened
Другие MOSFET... SFF40N30B , SFF40N30M , SFF40N30MDB , SFF40N30MUB , SFF40N30N , SFF40N30P , SFF40N30Z , SFF40N30ZDB , IRF520 , SFF420J , SFF430 , SFF430G , SFF430M , SFF430Z , SFF440 , SFF440-28 , SFF440C .
History: NCEAP60ND60G | 2SK3663 | SVS70R900MJE3 | IRFBC30SPBF
History: NCEAP60ND60G | 2SK3663 | SVS70R900MJE3 | IRFBC30SPBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor





