SFF50N20N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF50N20N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для SFF50N20N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF50N20N даташит

 ..1. Size:188K  ssdi
 sff50n20n sff50n20p.pdf pdf_icon

SFF50N20N

 6.1. Size:164K  ssdi
 sff50n20b.pdf pdf_icon

SFF50N20N

 6.2. Size:147K  ssdi
 sff50n20.pdf pdf_icon

SFF50N20N

 8.1. Size:113K  ssdi
 sff50n30m sff50n30z.pdf pdf_icon

SFF50N20N

SFF50N30M Solid State Devices, Inc. SFF50N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 50 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF50N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF44N50Z, SFF450, SFF450C, SFF450M, SFF450Z, SFF4N60, SFF50N20, SFF50N20B, MMIS60R580P, SFF50N20P, SFF50N30M, SFF50N30Z, SFF60P05M, SFF60P05MDB, SFF60P05MUB, SFF60P05Z, SFF60P05ZDB