SFF60P05MUB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF60P05MUB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для SFF60P05MUB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF60P05MUB даташит

 ..1. Size:82K  ssdi
 sff60p05mub sff60p05z sff60p05m sff60p05mdb sff60p05zdb sff60p05zub.pdf pdf_icon

SFF60P05MUB

SFF60P05M SFF60P05Z Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-4470 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -60 AMP/-50 Volts DESIGNER S DATA SHEET 25 m typical Part Number / Ordering Information 1/ P-Channel SFF60P05 __ __ __ POWER MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened

Другие IGBT... SFF50N20, SFF50N20B, SFF50N20N, SFF50N20P, SFF50N30M, SFF50N30Z, SFF60P05M, SFF60P05MDB, IRF730, SFF60P05Z, SFF60P05ZDB, SFF60P05ZUB, SFF6N100S1, SFF7002KA2GW, SFF70N04S, SFF70N10M, SFF70N10Z