SFF75N08Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF75N08Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
trⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-254Z
SFF75N08Z Datasheet (PDF)
sff75n08m sff75n08z.pdf

SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn
sff75n06-28.pdf

PRELIMINARYSFF75N06-28SOLID STATE DEVICES, INC.14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-177330 AMP 1/60 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET25m N-CHANNELPOWER MOSFETFEATURES: Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast switc
sff75n06m sff75n06z.pdf

SFF75N06MSFF75N06ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177375 AMP60 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET15mFEATURES:N-CHANNEL Advanced high-cell density withstands high energyPOWER MOSFET Very low conduction and switching losses Fast recovery drain-to-source diode with soft r
sff75n05m sff75n05z.pdf

SFF75N05MSFF75N05ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177375 AMP50 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET15mFEATURES:N-CHANNEL Advanced high-cell density withstands high energy MOSFET Very low conduction and switching losses Fast recovery drain-to-source diode with soft recove
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: RU3060L | 2N4416AC1C
History: RU3060L | 2N4416AC1C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g