Справочник MOSFET. SFF75N10B

 

SFF75N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF75N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: MILPACK2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF75N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  ssdi
sff75n10b.pdfpdf_icon

SFF75N10B

 6.1. Size:158K  ssdi
sff75n10.pdfpdf_icon

SFF75N10B

 6.2. Size:168K  ssdi
sff75n10n sff75n10p.pdfpdf_icon

SFF75N10B

 8.1. Size:40K  ssdi
sff75n08m sff75n08z.pdfpdf_icon

SFF75N10B

SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn

Другие MOSFET... SFF75N05M , SFF75N05Z , SFF75N06-28 , SFF75N06M , SFF75N06Z , SFF75N08M , SFF75N08Z , SFF75N10 , IRF630 , SFF75N10N , SFF75N10P , SFF7N60 , SFF801R2 , SFF80N20M , SFF80N20MDB , SFF80N20MUB , SFF80N20N .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.