SFF75N10N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFF75N10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-258
SFF75N10N Datasheet (PDF)
sff75n08m sff75n08z.pdf
SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn
sff75n06-28.pdf
PRELIMINARYSFF75N06-28SOLID STATE DEVICES, INC.14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-177330 AMP 1/60 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET25m N-CHANNELPOWER MOSFETFEATURES: Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast switc
sff75n06m sff75n06z.pdf
SFF75N06MSFF75N06ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177375 AMP60 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET15mFEATURES:N-CHANNEL Advanced high-cell density withstands high energyPOWER MOSFET Very low conduction and switching losses Fast recovery drain-to-source diode with soft r
sff75n05m sff75n05z.pdf
SFF75N05MSFF75N05ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177375 AMP50 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET15mFEATURES:N-CHANNEL Advanced high-cell density withstands high energy MOSFET Very low conduction and switching losses Fast recovery drain-to-source diode with soft recove
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SWHA065R03VLT
History: SWHA065R03VLT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918