SFF75N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF75N10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-258
Аналог (замена) для SFF75N10N
SFF75N10N Datasheet (PDF)
sff75n08m sff75n08z.pdf

SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn
Другие MOSFET... SFF75N05Z , SFF75N06-28 , SFF75N06M , SFF75N06Z , SFF75N08M , SFF75N08Z , SFF75N10 , SFF75N10B , IRFB4227 , SFF75N10P , SFF7N60 , SFF801R2 , SFF80N20M , SFF80N20MDB , SFF80N20MUB , SFF80N20N , SFF80N20NDB .
History: INK0310AP1 | HM40N20 | SWB13N65K2 | IRFS4310 | STD25N10F7 | IRHM7264SE | NTD32N06-001
History: INK0310AP1 | HM40N20 | SWB13N65K2 | IRFS4310 | STD25N10F7 | IRHM7264SE | NTD32N06-001



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527