SFF75N10N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF75N10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для SFF75N10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF75N10N даташит

 ..1. Size:168K  ssdi
 sff75n10n sff75n10p.pdf pdf_icon

SFF75N10N

 6.1. Size:158K  ssdi
 sff75n10.pdf pdf_icon

SFF75N10N

 6.2. Size:145K  ssdi
 sff75n10b.pdf pdf_icon

SFF75N10N

 8.1. Size:40K  ssdi
 sff75n08m sff75n08z.pdf pdf_icon

SFF75N10N

SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1 maximum current limited by package configuration Features Trench gate techn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF75N05Z, SFF75N06-28, SFF75N06M, SFF75N06Z, SFF75N08M, SFF75N08Z, SFF75N10, SFF75N10B, 10N60, SFF75N10P, SFF7N60, SFF801R2, SFF80N20M, SFF80N20MDB, SFF80N20MUB, SFF80N20N, SFF80N20NDB