Справочник MOSFET. SFF75N10N

 

SFF75N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF75N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-258
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF75N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  ssdi
sff75n10n sff75n10p.pdfpdf_icon

SFF75N10N

 6.1. Size:158K  ssdi
sff75n10.pdfpdf_icon

SFF75N10N

 6.2. Size:145K  ssdi
sff75n10b.pdfpdf_icon

SFF75N10N

 8.1. Size:40K  ssdi
sff75n08m sff75n08z.pdfpdf_icon

SFF75N10N

SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N5454 | STW6N95K5

 

 
Back to Top

 


 
.