SFF75N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SFF75N10P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-259
Аналог (замена) для SFF75N10P
SFF75N10P Datasheet (PDF)
sff75n08m sff75n08z.pdf
SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn
Другие MOSFET... SFF75N06-28 , SFF75N06M , SFF75N06Z , SFF75N08M , SFF75N08Z , SFF75N10 , SFF75N10B , SFF75N10N , AON6414A , SFF7N60 , SFF801R2 , SFF80N20M , SFF80N20MDB , SFF80N20MUB , SFF80N20N , SFF80N20NDB , SFF80N20NUB .
History: SFF75N10N | 2SK3494 | SSF4414 | SVSP11N65FD2 | NCEAP026N10T | APT8024B2VFR
History: SFF75N10N | 2SK3494 | SSF4414 | SVSP11N65FD2 | NCEAP026N10T | APT8024B2VFR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124








