SFF80N20NDB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF80N20NDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-258

Аналог (замена) для SFF80N20NDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF80N20NDB даташит

 ..1. Size:182K  ssdi
 sff80n20mub sff80n20n sff80n20m sff80n20mdb sff80n20ndb sff80n20nub sff80n20p sff80n20pdb sff80n20pub sff80n20zub sff80n20z sff80n20zdb.pdf pdf_icon

SFF80N20NDB

SFF80N20 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 80 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNER S DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF80N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX

 9.1. Size:144K  ssdi
 sff801r2.pdf pdf_icon

SFF80N20NDB

Другие IGBT... SFF75N10N, SFF75N10P, SFF7N60, SFF801R2, SFF80N20M, SFF80N20MDB, SFF80N20MUB, SFF80N20N, IRF630, SFF80N20NUB, SFF80N20P, SFF80N20PDB, SFF80N20PUB, SFF80N20Z, SFF80N20ZDB, SFF80N20ZUB, SFF840