SIS415DNT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS415DNT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

Аналог (замена) для SIS415DNT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS415DNT даташит

 ..1. Size:156K  vishay
 sis415dnt.pdf pdf_icon

SIS415DNT

SiS415DNT Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thin 0.8 mm max. height 0.0040 at VGS = - 10 V 100 % Rg and UIS Tested - 35a Material categorization 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 - 35a 55.5 nC For definitions of compliance please see 0.0095

 9.1. Size:570K  vishay
 sis414dn.pdf pdf_icon

SIS415DNT

New Product SiS414DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.016 at VGS = 4.5 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 8.2 nC 0.020 at VGS = 2.5 V 20 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.2. Size:534K  vishay
 sis413dn.pdf pdf_icon

SIS415DNT

SiS413DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0094 at VGS = - 10 V - 18d - 30 35.4 nC For definitions of compliance please see 0.0132 at VGS = - 4.5 V - 18d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS

 9.3. Size:531K  vishay
 sis412dn.pdf pdf_icon

SIS415DNT

New Product SiS412DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 12 100 % Rg Tested 30 3.8 nC 0.030 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Notebook PC - System Power - Load Switch S D 3.30 mm

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF840, SFF85N06M, SFF85N06Z, SFF9130, SFF9130-28D, SFF9130J, SFF9130M, SFF9130Z, 13N50, SFF9140-28, SFF9140C, SFF9140J, SFF9140M, SFF9140Z, SFF9230M, SFF9230Z, RDX045N60FU6