SFF9140C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF9140C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-254C

Аналог (замена) для SFF9140C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF9140C даташит

 ..1. Size:168K  ssdi
 sff9140c.pdf pdf_icon

SFF9140C

 7.1. Size:212K  samsung
 sff9140.pdf pdf_icon

SFF9140C

SFF9140 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -13.2 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature TO-3PF Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) 0.161 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source

 7.2. Size:162K  ssdi
 sff9140m sff9140z.pdf pdf_icon

SFF9140C

 7.3. Size:62K  ssdi
 sff9140j.pdf pdf_icon

SFF9140C

SFF9140J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -18 AMPS Designer s Data Sheet -100 VOLTS 0.20 FEATURES Rugged Construction with Poly Silicon Gate P-CHANNEL Low RDS(on) and High Transconductance POWER MOSFET Excellent High Temperature S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF85N06Z, SFF9130, SFF9130-28D, SFF9130J, SFF9130M, SFF9130Z, SIS415DNT, SFF9140-28, 12N60, SFF9140J, SFF9140M, SFF9140Z, SFF9230M, SFF9230Z, RDX045N60FU6, SFF9240-28, SFF9240C