Справочник MOSFET. IRFSZ34A

 

IRFSZ34A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ34A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFSZ34A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ34A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  samsung
 irfsz34a.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.030 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 7.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFSZ20 , IRFSZ22 , IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRF530 , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | 2SK1280

 

 
Back to Top

 


 
.