IRFSZ34A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFSZ34A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFSZ34A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ34A даташит

 ..1. Size:498K  samsung
 irfsz34a.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.030 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 7.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ34A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFSZ20, IRFSZ22, IRFSZ24, IRFSZ24A, IRFSZ25, IRFSZ30, IRFSZ32, IRFSZ34, IRF1010E, IRFSZ35, IRFSZ40, IRFSZ42, IRFSZ44, IRFSZ44A, IRFSZ45, IRFU010, IRFU012